来源:彗聪网 更新时间:2008-03-11
美国高密度系统芯片 (SoC) 嵌入式内存解决方案供应商 MoSys 3月14日宣布，该公司已经同中芯国际(NYSE: SMI)扩展了合作伙伴关系，未来双方将就其新型高密度嵌入式闪存开展合作。
根据协议，两家公司将就通过中芯国际制造工艺生产MoSys 1T-FLASH芯片开展合作。MoSys 1T-FLASH是一款超高密度NOR闪存芯片，未来将通过中芯国际的CMOS生产工艺制造。MoSys 1T-FLASH可以为移动设备开发商和嵌入式微控制器开发商带来巨大的成本优势。(摩尔)